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MoSi↓2能隙的高压调制

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成果类型:
期刊论文
作者:
张海峰;李永平;黄新堂
作者机构:
[张海峰; 李永平] 中国科学技术大学物理系
[黄新堂] 华中师范大学物理系
语种:
中文
关键词:
LMTO-ASA方法;电子结构;高压
关键词(英文):
LMTO-ASA method;electronic structure;high pressure.
期刊:
高压物理学报
ISSN:
1000-5773
年:
1994
卷:
8
期:
3
页码:
200-204
基金类别:
国家自然科学基金
机构署名:
本校为其他机构
院系归属:
物理科学与技术学院
摘要:
采用LMTO-ASA方法,对过渡金属MoSi_2在高压下的电子结构性质进行了研究,计算中考虑了除自旋-轨道耦合外的所有相对论效应。结果表明:随着压缩度增加,MoSi_2小的能隙变宽,Mo的d电子与Si的p电子杂化增强,原子间相互作用增大,晶体在高压下更加紧密结合。这一能隙随压力增大而增大的结果,与非导体在高压下金属化的特性相反。
摘要(英文):
The electronic structure of transition metal disilicides MoSi_2 at high pressure was studied by using LMTO-ASA method.All the relativistic effects except spin-orbit coupling were considered.The results indicate that,with the compressibility increasing,the width of valence band became wider which shows the interaction between Mo d electrons and Si p electrons became larg-er,the cohesion of crystal increases.Should we say that,this result is conflict to ...

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