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Growth of boron nitride nanotube film in situ

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成果类型:
期刊论文
作者:
Gan, ZW*;Ding, XX;Huang, ZX;Huang, XT;Cheng, C;...
通讯作者:
Gan, ZW
作者机构:
[Ding, XX; Huang, ZX; Gan, ZW; Tang, C; Huang, XT; Cheng, C; Qi, SR] Cent China Normal Univ, Dept Phys, Wuhan 430079, Peoples R China.
通讯机构:
[Gan, ZW] C
Cent China Normal Univ, Dept Phys, Wuhan 430079, Peoples R China.
语种:
英文
关键词:
Oxide;Silicon;Thin Film;SiO2;Boron
期刊:
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
ISSN:
0947-8396
年:
2005
卷:
81
期:
3
页码:
527-529
机构署名:
本校为第一且通讯机构
院系归属:
物理科学与技术学院
摘要:
A novel method was demonstrated to fabricate boron nitride nanotube films on silicon substrate in a location-controlled fashion. The pre-deposited SiO2 layer on the substrate controls the growth space of BN nanotubes synthesized by an ammonothermal re...

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