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滕氏兰中电子跳跃的Mssbauer研究

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成果类型:
期刊论文
作者:
祁守仁;祝心德;王一举
作者机构:
华中师范大学
语种:
中文
关键词:
MOSSBAUER效应;电子结构;中电子;华中师范大学;电子跳跃
关键词(英文):
SSBAUER
期刊:
原子与分子物理学报
ISSN:
1000-0364
年:
1990
期:
S1
页码:
266
机构署名:
本校为第一机构
摘要:
滕氏兰及其相关的化合物的晶体结构,于1936年被x-射线方法所揭示,六十年代,有人用Mossbauer效应方法进一步对电子结构进行了研究,其结论是这类化合物的电子结构都是Fc3+[FeⅡ(CN)6]3,这一结论引用至今。 本工作用Mossbauer效应方法,根据13K,77K,300K,370K的测量:分析Fe2++[FcⅢ(CN)6]-3的生成沉淀中,并非是Fc3+/FeⅡ,而是一个不稳定的Fc2+Fc3+/FcⅡFcⅢ系统。Fc2+与FcⅢ之间有电子跳跃和电子转移现象存在,而快速电子跳跃是主要的。

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