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具有垂直磁各向异性的TbCo/Cr非晶磁化膜

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成果类型:
期刊论文
作者:
黄致新;李佐宜;但旭;晋芳;李震;...
作者机构:
华中科技大学电子科学与技术系
华中师范大学物理科学与技术学院
语种:
中文
关键词:
垂直磁晶各向异性;磁控溅射方法;铽-钴薄膜;铬底层;柱状结构;非晶磁化膜
期刊:
中国稀土学报
ISSN:
1000-4343
年:
2004
期:
4
页码:
550
机构署名:
本校为其他机构
院系归属:
物理科学与技术学院
摘要:
采用不加偏压的磁控溅射方法,制备了具有垂直磁晶各向异性的TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并且就Cr底层对TbCo膜磁性能的影响进行了研究。研究发现TbCo磁性层的厚度以及Cr底层的存在都会影响TbCo薄膜磁晶各向异性能的大小。对于厚度为120 nm,并且带有180 nm厚度Cr底层的Tb31C69薄膜而言,其磁晶各向异性能高达4.57×106 erg·cm-3,而对于同样厚度的Tb31C69薄膜,当它没有带Cr底层时,其磁晶各向异性能只有3.24×106 erg·cm-3。扫描电镜的观测结果表明,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构。正是TbCo薄膜内的柱状结构导致了其磁晶各向异性的增强。

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