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一种硒掺杂的羟基氧化铁及其制备方法

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成果类型:
专利
发明/设计人:
余颖;郭瑾;王舟舟;邱明强
申请/专利权人:
华中师范大学
专利类型:
发明
语种:
中文
申请时间:
2023.11.29
申请/专利号:
CN202311614285.3
公开时间:
2024.03.01
公开号:
CN117626345A
代理人:
李斌
机构署名:
本校为其他完成单位
摘要:
本发明适用于海水分解制氧催化剂技术领域,提供了一种硒掺杂的羟基氧化铁,通过一步电沉积法在导电基底上原位生长硒掺杂的羟基氧化铁纳米花结构,其中,铁原子含量为30.26%~79.63%,硒原子含量为0.28%~1.57%;所述纳米花由不同尺寸的纳米片堆叠组成,且纳米片的平面尺寸为:宽度30‑150nm,长度100‑700nm。本发明创新性地开发了独特的一步电沉积法,在羟基氧化铁生长过程中掺杂非金属元素硒,形成一种硒掺杂的羟基氧化铁,制备过程简单,易操作。纳米花状结构,能够充分暴露活性位点。同时,硒的掺杂有利于增强羟基氧化铁的导电性,提高电子的转移能力,从而促进析氧反应的反应动力学,...

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