MCS51系列单片机与内存条（DRAM）的接口

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成果类型：

期刊论文

作者：

夏应清;刘守印;徐洪波;黄光明（黄光明）;彭新生

作者机构：

[黄光明; 夏应清; 刘守印; 徐洪波; 彭新生] 华中师范大学物理系

语种：

中文

关键词：

动态存储器;刷新周期;分页存储

关键词(英文)：

DRAM

期刊：

电子技术应用

ISSN：

0258-7998

年：

1999

卷：

期：

页码：

14-15

DOI：

10.3969/j.issn.0258-7998.1999.08.005

机构署名：

本校为第一机构

院系归属：

物理科学与技术学院

摘要：

在分析DRAM特性及其操作时序和MCS51系列单片机总线时序基础上,用具体电路讨论了MCS51系列单片机与DRAM内存条接口原理及方法.利用这种方法实现简单可靠,可使单片机系统拥有大容量的数据存储空间.

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